近年来，新能源汽车高速发展，电动化和智能化成为两大趋势，各大车企已逐步尝试将第三代半导体用于汽车系统，氮化镓高开关频率和高能效优势能够很好地帮助实现新能源汽车电动化与智能化的需求。

车载激光雷达作为自动驾驶的关键组成部分，需要更高精度的感知技术。在自动驾驶中，L2辅助驾驶的识别距离受限于MOS方案，相对较短，功耗较大，而L2+/L3辅助驾驶则需要达到更远距离识别。氮化镓芯片所具备的窄脉冲、大峰值电流、高效的性能，能够达到更长的探测距离，并降低功率损耗和温升，更好地满足车载激光雷达系统所需。

2023年底，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称：英诺赛科）已推出适用于自动驾驶激光雷达系统的100V车规级氮化镓芯片INN100W135A-Q，目前已在多个终端客户中导入设计。为了满足应用多样化的需求，英诺赛科基于100V技术平台研发了一款更小封装体积的100V车规级氮化镓芯片INN100W800A-Q，延续低导阻、低栅极电荷、低开关损耗以及降低的反向恢复电荷等特性。与传统Si器件相比，开关速度提升13倍，脉冲宽度仅为Si的1/5、功率损耗更低，温升更低、可满足L2+/L3辅助驾驶。目前，产品已实现量产，主要应用于车载激光雷达、高功率密度DC-DC变换器、高强度前照灯、D类音频等领域。

关于英诺赛科：由骆薇薇博士创立，总部位于中国苏州市吴江区，是一家致力于第三代半导体氮化镓研发与应用的高新技术企业。英诺赛科拥有珠海及苏州两座8英寸硅基氮化镓生产基地，是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，同时也是全球最大的8英寸硅基氮化镓器件制造商，也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。

（免责声明：此文内容为本网站刊发或转载企业宣传资讯，仅代表作者个人观点，与本网无关。仅供读者参考，并请自行核实相关内容。）